slc固态硬盘有哪些型号,求大神推荐几款ssd硬盘要slcFlash芯片的谢谢了

1,求大神推荐几款ssd硬盘要slcflash芯片的谢谢了2,slc固态硬盘哪个牌子质量比较好该买哪个牌子3,如何分别固态硬盘slc和mlc芯片型号4,slc ssd有哪些5,哪种ssd是slc mlc tlc1,求大神推荐几款ssd硬盘要slcflash芯片的谢谢了 哥们根本没必要,桌面级的都是mlc,你是不是觉得3000-1w次的写入寿命太少啊?那你可以买容量大一些的,比如120g以上的,每天写入60g计算,一年才用180多次~ 3000次够你用多少年的~从你的提问来看你是标准的数据党啊,桌面级的ssd全是flash芯片,至于那个dram类的ssd,普通用户根本接触不到这类商品你好!slc的ssd很少,就那么几个牌子,没什么好推荐的,看intel有没有仅代表个人观点,不喜勿喷,谢谢。
2,slc固态硬盘哪个牌子质量比较好该买哪个牌子 便宜的,都不可靠。价格太低不可靠。并非所有的slc都好。就好像固态硬盘也有很多垃圾。slc的同容量,价格应该是mlc的4倍以上。比如128的应该是1200以上。但性能高不了4倍,而且如果是sata3接口,有带宽限制,速度和mlc一样。主要是寿命长而已。所以,如果你不打算花这么多钱的话,其实根本不值得。按闪存芯片的写次数。一般情况下,slc型闪存芯片写次数为10万次,mlc型闪存芯片写次数为1万次。每次开启windows即使不主动拷贝文件,都要对固态硬盘读写很多次,所以想想其实这东西也不是很耐用。
3,如何分别固态硬盘slc和mlc芯片型号 如果是民用级别,基本没有slc的,基本都是mlc的,唯一例外三星840是tlc的。其实看价格都能看出来,slc特别贵。非要看闪存贴牌,只能上网找拆盘的图,从外观或使用是看不出来的。存储单元的类型 slc的特点是成本高、容量小、速度快,而mlc的特点是容量大成本低,但是速度慢。mlc的每个单元是2bit的,相对slc来说整整多了一倍。不过,由于每个mlc存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的slc闪存。此外,slc闪存的优点是复写次数高达100000次,比mlc闪存高10倍。此外,为了保证mlc的寿命,控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法,使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊,达到100万小时故障间隔时间(mtbf)。
4,slc ssd有哪些 目前已经几乎看不到了,除了服务器,高端用外,还有的一般都是二手diy用了,现在是mlc,tlc,到底这个成本便宜,方便大众化。话说,现在能看到的slc,大部分都是n年前的产品了。太高端的买不起,就不说了。nand是目前闪存颗粒用的技术,ssd里面的存储颗粒就是一颗颗nand flash(闪存)slc表示一种闪存颗粒的类型,区别是最小存储单元可以存储的数据位数量。如果最小存储单元只区分2个电位(高低电位),等于只能存储0或1,即1位(1bit)数据。这种类型的nand闪存就叫做slc。以此类推,还有mlc:最小存储单元区分4个电位,即00,01,10,11。tlc:区分8个电位。同样一个最小的存储单元,区分的电位越多,存储密度越大。假设一颗slc nand是1gb的话,做成mlc就是2gb,tlc就是3gb。所以slc会比后面的贵得多,容量也不容易做大。但slc好处是:区分的电位越多,每个电位间区别越小,读写速度越慢(难以识别和写入),寿命也越短(损耗一点点就错位了)。所以slc比mlc、tlc速度快,可擦写次数更多。目前的情况是,slc一般用于企业级ssd,以及intel智能响应技术的加速盘。mlc一般用于桌面级ssd。tlc的ssd因为技术和可靠性的原因几乎还没有。但tlc则已经几乎统治了u盘和存储卡市场(因为价格战太厉害,利润太低,没人愿意上好的nand)。所以除非是高速的存储卡,u盘和存储卡存数据是很不可靠的哦。 5,哪种ssd是slc mlc tlc 除了主控芯片和缓存芯片以外,pcb板上其余的大部分位置都是nand flash闪存芯片了。nand flash闪存芯片又分为slc(单层单元)和mlc(多层单元)nand闪存: 1.slc全称是单层式储存 (single level cell),因为结构简单,在写入数据时电压变化的区间小,所以寿命较长,传统的slc nand闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动,所以 英特尔固态硬盘(15张) 其速度表现更好,目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的flash闪存芯片。 2.mlc全称是多层式储存(multi leveled cell),它采用较高的电压驱动,通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息,这样就可以将原本slc的记录密度理论提升一倍。作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的mlc nand闪存,其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本,从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过,mlc的缺点也很明显,其写入寿命较短,读写方面的能力也比slc低,官方给出的可擦写次数仅为1万次。 3.tlc即triple-cell-per-bit,由于采用三层存储单元,因此可以以较低的成本实现更大的容量。具体来讲,slc只有两个电平状态,mlc则为4个,tlc则多达8个,同容量下tlc的die的尺寸比mlc小33%,因此价格也便宜了33%。当然良品率等因素也会对价格产生影响。 由于tlc拥有多达8个电平状态,因此在电位控制上更加复杂,特别是写入速度会大受影响,延迟增加。加之如此多的电平状态,电子一旦溢出变会非常容易导致出错,难以控制,这就是为什么需要更强ecc纠错能力的原因,否则tlc闪存的寿命将会不堪一击。

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