1,推荐一款slc的固态硬盘之前看中了三星的evo850不过听说是tlc2,求大神推荐几款ssd硬盘要slcflash芯片的谢谢了3,slc ssd有哪些4,哪种ssd是slc mlc tlc5,现在mlc颗粒的固态硬盘有哪些1,推荐一款slc的固态硬盘之前看中了三星的evo850不过听说是tlc
你说呢...没有必要追求slc,太贵了,一般mlc的就够了,再怎么说,正常用十来年也不算短了。推荐浦科特m6s
2,求大神推荐几款ssd硬盘要slcflash芯片的谢谢了
哥们根本没必要,桌面级的都是mlc,你是不是觉得3000-1w次的写入寿命太少啊?那你可以买容量大一些的,比如120g以上的,每天写入60g计算,一年才用180多次~ 3000次够你用多少年的~从你的提问来看你是标准的数据党啊,桌面级的ssd全是flash芯片,至于那个dram类的ssd,普通用户根本接触不到这类商品你好!slc的ssd很少,就那么几个牌子,没什么好推荐的,看intel有没有仅代表个人观点,不喜勿喷,谢谢。
3,slc ssd有哪些
目前已经几乎看不到了,除了服务器,高端用外,还有的一般都是二手diy用了,现在是mlc,tlc,到底这个成本便宜,方便大众化。话说,现在能看到的slc,大部分都是n年前的产品了。太高端的买不起,就不说了。nand是目前闪存颗粒用的技术,ssd里面的存储颗粒就是一颗颗nand flash(闪存)slc表示一种闪存颗粒的类型,区别是最小存储单元可以存储的数据位数量。如果最小存储单元只区分2个电位(高低电位),等于只能存储0或1,即1位(1bit)数据。这种类型的nand闪存就叫做slc。以此类推,还有mlc:最小存储单元区分4个电位,即00,01,10,11。tlc:区分8个电位。同样一个最小的存储单元,区分的电位越多,存储密度越大。假设一颗slc nand是1gb的话,做成mlc就是2gb,tlc就是3gb。所以slc会比后面的贵得多,容量也不容易做大。但slc好处是:区分的电位越多,每个电位间区别越小,读写速度越慢(难以识别和写入),寿命也越短(损耗一点点就错位了)。所以slc比mlc、tlc速度快,可擦写次数更多。目前的情况是,slc一般用于企业级ssd,以及intel智能响应技术的加速盘。mlc一般用于桌面级ssd。tlc的ssd因为技术和可靠性的原因几乎还没有。但tlc则已经几乎统治了u盘和存储卡市场(因为价格战太厉害,利润太低,没人愿意上好的nand)。所以除非是高速的存储卡,u盘和存储卡存数据是很不可靠的哦。
4,哪种ssd是slc mlc tlc
除了主控芯片和缓存芯片以外,pcb板上其余的大部分位置都是nand flash闪存芯片了。nand flash闪存芯片又分为slc(单层单元)和mlc(多层单元)nand闪存: 1.slc全称是单层式储存 (single level cell),因为结构简单,在写入数据时电压变化的区间小,所以寿命较长,传统的slc nand闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动,所以 英特尔固态硬盘(15张) 其速度表现更好,目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的flash闪存芯片。 2.mlc全称是多层式储存(multi leveled cell),它采用较高的电压驱动,通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息,这样就可以将原本slc的记录密度理论提升一倍。作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的mlc nand闪存,其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本,从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过,mlc的缺点也很明显,其写入寿命较短,读写方面的能力也比slc低,官方给出的可擦写次数仅为1万次。 3.tlc即triple-cell-per-bit,由于采用三层存储单元,因此可以以较低的成本实现更大的容量。具体来讲,slc只有两个电平状态,mlc则为4个,tlc则多达8个,同容量下tlc的die的尺寸比mlc小33%,因此价格也便宜了33%。当然良品率等因素也会对价格产生影响。 由于tlc拥有多达8个电平状态,因此在电位控制上更加复杂,特别是写入速度会大受影响,延迟增加。加之如此多的电平状态,电子一旦溢出变会非常容易导致出错,难以控制,这就是为什么需要更强ecc纠错能力的原因,否则tlc闪存的寿命将会不堪一击。
5,现在mlc颗粒的固态硬盘有哪些
基本上都是这种。就好比你再问,现在非曲屏手机有哪些?那不就忒好找了吗?曲屏手机只有5粗拢共6款手机,剩余的海量手机都是非曲屏的手机。是一个意思。分为slc/mlc/tlc,而随着晶圆物理极限的不断迫近,固态硬盘上单体的存储单元内部的能够装载的闪存颗粒已经接近极限了,更加专业的术语表述就是单die能够装载的颗粒数已经到达极限了,要想进一步扩大单die的可用容量,就必须在技术上进行创新。?晶圆物理容量已接近极限于是,3d nand技术也就应运而生了。在解释3d nand之前,我们先得弄清楚2d nand是什么,以及“2d”和“3d”的真实含义。首先是2d nand,我们知道在数学和物理领域,2d/3d都是指的方向,都是指的坐标轴,“2d”指的是平面上的长和宽,而“3d”则是在“2d”基础上,添加了一个垂直方向的“高”的概念。由此,2d nand真实的含义其实就是一种颗粒在单die内部的排列方式,是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的。相对应的,3d nand则是在二维平面基础上,在垂直方向也进行颗粒的排列,即将原本平面的堆叠方式,进行了创新。利用新的技术(即3d nand技术)使得颗粒能够进行立体式的堆叠,从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单die可用容量的限制,在同样体积大小的情况下,极大的提升了闪存颗粒单die的容量体积,进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升。第一款:美光(micron)旗下品牌 英睿达(crucial) bx300系列 sata ssd第二款:建兴(liteon) 睿速系列 t10 pcie/nvme ssd。第三款:金士顿(kingston) ms200系列 sata ssd第四款:金泰克(tigo)s520系列 sata ssd
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